Beheerde etsing van die SiC-laag in TRISO-bedekte partikels in ’n nie-termiese CF4 plasma

Controlled etching of the SiC layer in TRISO coated particles using CF4 in a non-thermal plasma

  • Renier Koen Die Suid-Afrikaanse Kernenergiekorporasie (Necsa)
  • Izak J Van der Walt Die Suid-Afrikaanse Kernenergiekorporasie (Necsa)
  • Arnold A Jansen Die Suid-Afrikaanse Kernenergiekorporasie (Necsa)
  • Philippus L Crouse Universiteit van Pretoria
Keywords: Beheerde etsing, SiC-laag, TRISO-bedekte partikels, nie-termiese CF4 plasma

Abstract

Die fluoorradikale wat in ’n nie-termiese CF4-radiofrekwensieplasma (glimont ladingsplasma) opgewek word, reageer geredelik met silikoonkarbied (SiC) met die vorming van vlugtige SiF4 en CF4. In ’n spuitbedopstelling wat hier gebruik word, bewerkstellig dit binne 14 tot 15 h die volledige verwydering van die SiC-deklaag vanaf TRISO- partikels, met uitstekende beheer oor die proses vir analitiese en kwaliteitsbeheerdoeleindes. Die proseskinetika word deur massa-oordrag beheer.

Author Biographies

Renier Koen, Die Suid-Afrikaanse Kernenergiekorporasie (Necsa)

Die Suid-Afrikaanse Kernenergiekorporasie (Necsa), Suid-Afrika

Izak J Van der Walt, Die Suid-Afrikaanse Kernenergiekorporasie (Necsa)

Die Suid-Afrikaanse Kernenergiekorporasie (Necsa), Suid-Afrika

Arnold A Jansen, Die Suid-Afrikaanse Kernenergiekorporasie (Necsa)

Die Suid-Afrikaanse Kernenergiekorporasie (Necsa) en Departement Chemiese Ingenieurswese, Universiteit
van Pretoria, Suid-Afrika

Philippus L Crouse, Universiteit van Pretoria

Departement Chemiese Ingenieurswese, Universiteit van Pretoria, Suid-Afrika

Published
2020-04-03
Section
Articles